Otwarty dostęp

Multiplicative topological descriptors of Silicon carbide

Abaid ur Rehman Virk

Abaid ur Rehman Virk

Department of Mathematics, University of Management and TechnologyLahore, Pakistan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Virk, Abaid ur Rehman
, 
Tanveer Abbas

Tanveer Abbas

Department of Mathematics, Minhaj UniversityLahore, Pakistan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Abbas, Tanveer
 oraz 
Wasim Khalid

Wasim Khalid

Department of Mathematics, University of Lahore (Pakpattan Campus)Lahore, Pakistan
Wyszukaj tego autora
Sciendo|Google Scholar
Khalid, Wasim
  
24 cze 2019
Multiplicative topological descriptors of Silicon carbide's Cover Image
O artykule
Poprzedni artykuł
Następny artykuł
Zacytuj
Pobierz okładkę
Data publikacji: 24 cze 2019
Zakres stron: 181 - 190
Otrzymano: 28 lut 2019
Przyjęty: 08 kwi 2019
DOI: https://doi.org/10.2478/AMNS.2019.1.00018
Słowa kluczowe
© 2019 Abaid ur Rehman Virk et al., published by Sciendo
This work is licensed under the Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Topological indices helps us to collect information about algebraic graphs and gives us mathematical approach to understand the properties of chemical structures. In this paper, we aim to compute multiplicative degree-based topological indices of Silicon-Carbon Si2C3−III[p,q] and SiC3−III[p,q] .

Język:
Angielski
Częstotliwość wydawania:
1 razy w roku
Dziedziny czasopisma:
Nauki biologiczne, Nauki biologiczne, inne, Matematyka, Matematyka stosowana, Matematyka ogólna, Fizyka, Fizyka, inne
Kanał RSS czasopisma